发头条

fatoutiao.com 互联网运营专业指南

Home /
SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片 年内完成批量生产

SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片 年内完成批量生产

【TechWeb】10月21日,SK&# […]

【TechWeb】10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

SK_hynix_Develops_1Znm_16Gb_DDR4_DRAM_1

图片来自SK海力士官网

与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。

新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示,该芯片计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。

文章

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注

youtube abone hilesi