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非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb:内存/硬盘加速统一

非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb:内存/硬盘加速统一

计算机界一直&#22312 […]

计算机界一直在探索NVRAM(非易失随机存取器),即在保留DRAM速度快、延时低(纳秒级)优势的情况下,做到永固数据。

目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一,业内还有铁电RAM(FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)以及Intel已经商用化的相变RAM(PCRAM)即3D Xpint技术形态。

MRAM近年来受到的关注度很高,Everspin(飞思卡尔子公司)开发完成后(STT-MRAM,自旋力矩转移MRAM),三星、美光、高通、东芝等都在跟进。

MRAM与NAND的主要不同体现在结构原理,前者依赖的是不同的磁性取向来存储信息(诺奖巨磁阻效应),后者则是电荷存储信息,电荷存储的主要问题是需要以较高的电压完成写入,且可靠性随时间逐渐损耗

对比之下,MRAM不仅可靠性/耐用性大大提升,同时依然可以维持纳秒级的低时延。

据Anandtech报道,Everspin目前生产的MRAM单芯片是256Mb,年底将试样1Gb(128MB),基于GF的22nm FD-SOI工艺。

非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb:内存/硬盘加速统一

与此同时,IBM宣布,将在今天开幕的闪存峰会上展示FlashCore系列新品SSD,容量19.2TB,基于3D TLC闪存(64层),主控为FPGA芯片,缓存用的是Everspin的MRAM,大小128MB。

IBM表示,FPGA主控配合传统的DRAM不能提供更好的写入加速,寿命很低,所以选择了Everspin的MRAM。

这款SSD采用U.2接口,支持NVMe规范,可走PCIe 4.0通道。

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