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三星公布7nm EUV技术细节:年底预试产

三星公布7nm EUV技术细节:年底预试产

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本周在火奴鲁鲁举行的VLSI(超大规模集成电路)研讨会上,三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。

EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久,终于在2018年看到曙光,三星称风险试产年底启动。考虑到风险试产到最终量产大约要维持1年的时间,所以年底和明年初的Exynos和骁龙芯片将暂时无缘7nm EUV。

三星此前已经透露,和高通在合作10nm的改良版8nm,传言首发会是骁龙730。

回到三星的7nm EUV(极紫外光刻),就是使用波长13.5nm的紫外线(波长范围是10~400nm)取代现在的193nm ArF(氟化氩)浸没式光刻,从而使得晶体管更加精密。

ArF光刻机ASML(阿斯麦)和尼康都可以造,但是功率250W的EUV光刻机,全球就只有ASML(阿斯麦)提供的NXE-3400。

技术指标方面,三星7nm EUV的栅极间距是54nm,鳍片间距是27nm,前者居然只是Intel 10nm的水平。

相较目前10nm LPP的骁龙845、Exynos 9810,三星7nm EUV的芯片面积将缩小40%。

不过,三星称,新工艺晶体管的性能将比去年首秀时最多提升20%,功耗最多下降50%。

另外,7nm EUV的好处还在于,比多重曝光的步骤要少,也就是相同时间内的产量将提升。当然,这里说的是最理想的情况, 比如更好的EUV薄膜以减少光罩的污染、自修正机制过关堪用等。三星称,7nm EUV若最终成行,将被证明是成本更优的方案。

如今,三星已经生产出基于7nm EUV的SRAM测试芯片,容量256Mb,大小0.0262平方微米。三星还透露,基于7nm的四核CPU、6核GPU都可以功能化运行了。

对手方面,台积电号称已经投产第一代7nm CLN7FF,性能提升30%,功耗降低60%。不过,EUV需要等到CLN7FF+时导入,所以理论上苹果A12无缘。

GF的7nm LP指标是栅极间距56nm,鳍片间距30nm,性能提升40%,功耗降低55%,预计将用在AMD Zen2处理器上。

三星公布7nm EUV技术细节:年底预试产、栅极间距54nm

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